Search papers

Article details

  • Materiały Ceramiczne/Ceramic Materials
  • Vol: 65, Issue: 2, 2013
  • pp: 198-203

download: article (PL)

Synthesis of Al2O3 - C/Al2O3 layers by the MOCVD method

Abstract (EN)

Al2O3-C/Al2O3 layers were synthesized on quartz glass substrates by the MOCVD method at temperatures of 700‒1050 oC, using aluminium acetyloacetonate as a precursor. The layers were deposited at two stages. First stage comprised the synthesis of a thin Al2O3-C layer  of 0.07 µm in thickness. Argon was used as a carrier gas. Next stage covered deposition of Al2O3 without carbon. The process was running in air and argon. The Al2O3 layer with no carbon was significantly thicker (about 4 µm) than the layer with carbon. The part of the obtained layers was additionally annealed in the temperature range of 900‒1050 °C. Selected samples were tested by SEM and XRD.

Keywords (EN): MOCVD, Al2O3 layer

Synteza kompozytowych warstw Al2O3 - C/Al2O3 metodą MOCVD

Sawka A., Kwatera A.

Abstract (PL)

Warstwy Al2O3–C/Al2O3 syntezowano metodą MOCVD (ang. Metal Organic Chemical Vapour Deposition) z acetyloacetonianu glinu w zakresie temperatur 700‒1050 °C na podłożach ze szkła kwarcowego. Warstwy syntezowano w dwóch etapach. Pierwszy etap obejmował syntezę cienkich warstw Al2O3–C o grubości ok. 0,07 µm. Gazem nośnym był argon. W drugim etapie, do reaktora CVD wprowadzano powietrze, by umożliwić syntezę warstwy Al2O3 bez węgla na warstwie Al2O3 zawierającej węgiel. Warstwa nie zawierająca węgla była znacznie grubsza (ok. 4 µm) niż zawierająca węgiel. Część warstw kompozytowych syntezowanych w 800 °C wygrzewano w atmosferze argonu lub powietrza w zakresie temperatur 900‒1050 °C. Na wybranych próbkach  wykonano badania SEM i XRD.

Keywords (PL): metoda MOCVD, warstwa Al2O3

return…