Search papers

Article details

  • Materiały Ceramiczne/Ceramic Materials
  • Vol: 65, Issue: 2, 2013
  • pp: 192-197

download: article (PL)

Synthesis of Al2O3-C layers by the MOCVD method

Abstract (EN)

Aluminium oxide layers were synthesized by using aluminium acetyloacetonate as the precursor and the MOCVD (Metal Organic Chemical Vapour Deposition) method. The layers were deposited on quartz glass tubes in the temperature range of 700‒1000 °C at their high growth rate. Argon was used as a carrier gas. Initially, the obtained samples were visually assessed. Considering high transparency of quartz glass, it was possible to verify whether the homogeneous nucleation process was present during the layer growth (the presence of this process significantly decreases of quartz glass transparency). The presence of interference colours enabled to establish approximately the thickness and thickness distribution of the obtained layers. Selected samples were examined by SEM and XRD. The performed tests have indicated that the layers synthesized at temperatures below 800 °C were amorphous or contained low temperature forms of Al2O3. The synthesis of layers at higher temperatures has caused their crystallization: the higher temperature of the synthesis process, the more advanced crystallization of the layers.

Keywords (EN): MOCVD method, Al2O3 layers

Synteza warstw Al2O3-C metodą MOCVD

Sawka A., Kwatera A.

Abstract (PL)

Warstwy tlenku glinu dotowane węglem syntezowano z acetyloacetonianu glinu metodą MOCVD (ang. Metal Organic Chemical Vapour Deposition) na podłożach w postaci rurek i płytek ze szkła kwarcowego w zakresie temperatur 700‒100 °C z dużą szybkością wzrostu (ok. 4 µm/h). Jako gaz nośny stosowano argon. Wstępnie wszystkie otrzymane próbki poddano ocenie wizualnej. Z uwagi na wysoką przeźroczystość szkła kwarcowego możliwe było łatwe i szybkie ustalenie, czy podczas syntezy warstw wystąpił proces nukleacji homogenicznej niepożądany przy syntezie gęstych warstw (jego wystąpienie powoduje zmętnienie warstw spowodowane powstawaniem proszków w fazie gazowej). Obecność barw interferencyjnych pozwoliła ustalić orientacyjnie grubość warstw oraz jej rozkład. Na wybranych próbkach przeprowadzono badania SEM i XRD. Badania te wykazały, że w zakresie temperatur do ok. 800 °C warstwy są amorficzne lub mogą zawierać niskotemperaturowe odmiany Al2O3. Synteza warstw w wyższych temperaturach powoduje ich krystalizację; im wyższa temperatura procesu, tym bardziej zaawansowana krystalizacja warstw.

Keywords (PL): metoda MOCVD, warstwy Al2O3

return…